单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管源漏电流特性模型?

• 作者: 吕懿 周春宇 张鹤鸣 杨晋勇 殷树娟 胡辉勇
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管 迁移率 阈值电压
• 年，卷（期）: 2015,（19）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 197301-1-197301-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.197301

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	64	367	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
3	吕懿	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	14	99	6.0	9.0
4	殷树娟	北京信息科技大学理学院	38	111	5.0	9.0
5	杨晋勇		10	23	3.0	3.0
6	周春宇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	3	6	2.0	2.0