原子层沉积系统在氮化铝AlN薄膜工艺中的应用

• 作者: 李新霞
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 原子层沉积 前驱体 电流崩塌
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体制造工艺与设备
• 页码范围: 19-23
• 页数: 5页
• 分类号: TN451
• 字数: 3735字
• 语种: 中文

摘要

介绍了原子层沉积系统(ALD)的原理、结构,以及它和不同薄膜生长设备相比所具有的特点.分析了影响ALD设备工艺性能的主要因素.在此基础上,采用等离子增强型ALD技术在硅片上制备AlN薄膜,并测试分析了薄膜的成分和表面平整度,满足工艺要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李新霞	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	9	2.0	3.0