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C面SiC衬底上N面GaN的MOCVD制备及特性研究
C面SiC衬底上N面GaN的MOCVD制备及特性研究
作者:
丁艳波
宋世巍
张东
李昱材
柯昀洁
王健
王刚
王存旭
赵琰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
N面GaN
光致发光
镓空位
摘要:
Ga面GaN基器件结构中存在巨大的极化场,引起载流子溢流等问题,严重的损害了器件的性能.而N面GaN则可以使极化场反转,从而解决这些问题.详细研究了在C面SiC衬底上N面GaN的MOCVD外延生长和性质.N面GaN表面非常粗糙,薄膜中刃位错和混合位错的含量较高.在Si掺杂的N面GaN的室温PL谱中没有观测到黄带的产生.利用热磷酸溶液对N面GaN腐蚀,在外延膜的表面产生了大量的Ga空位,对应的PL谱出现了黄带,确定黄带来源于Ga空位.经过腐蚀后的GaN呈12面锥体形貌,锥体的形成可以弛豫薄膜中的张应力,此外,随着腐蚀的进行,低温PL谱的半峰宽变窄.
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内容分析
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期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
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(/年)
文献信息
篇名
C面SiC衬底上N面GaN的MOCVD制备及特性研究
来源期刊
沈阳师范大学学报(自然科学版)
学科
工学
关键词
N面GaN
光致发光
镓空位
年,卷(期)
2016,(2)
所属期刊栏目
材料科学
研究方向
页码范围
140-143
页数
4页
分类号
TN304.55
字数
364字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1673-5862.2016.02.003
五维指标
传播情况
被引次数趋势
(/次)
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引文网络
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节点文献
N面GaN
光致发光
镓空位
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
沈阳师范大学学报(自然科学版)
主办单位:
沈阳师范大学
出版周期:
季刊
ISSN:
1673-5862
CN:
21-1534/N
开本:
大16开
出版地:
沈阳市皇姑区黄河北大街253号
邮发代号:
8-103
创刊时间:
1983
语种:
chi
出版文献量(篇)
2465
总下载数(次)
4
总被引数(次)
12035
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