基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
Ga面GaN基器件结构中存在巨大的极化场,引起载流子溢流等问题,严重的损害了器件的性能.而N面GaN则可以使极化场反转,从而解决这些问题.详细研究了在C面SiC衬底上N面GaN的MOCVD外延生长和性质.N面GaN表面非常粗糙,薄膜中刃位错和混合位错的含量较高.在Si掺杂的N面GaN的室温PL谱中没有观测到黄带的产生.利用热磷酸溶液对N面GaN腐蚀,在外延膜的表面产生了大量的Ga空位,对应的PL谱出现了黄带,确定黄带来源于Ga空位.经过腐蚀后的GaN呈12面锥体形貌,锥体的形成可以弛豫薄膜中的张应力,此外,随着腐蚀的进行,低温PL谱的半峰宽变窄.
推荐文章
湿法腐蚀制备 GaN LED 蓝宝石图形衬底的工艺方法研究
蓝宝石图形衬底
湿法腐蚀
腐蚀速率
GaN L ED
SiC衬底上外延GaN:Mg材料特性研究
GaN:Mg
异质外延
扫描电子显微镜
拉曼散射
光致发光谱
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 C面SiC衬底上N面GaN的MOCVD制备及特性研究
来源期刊 沈阳师范大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 N面GaN 光致发光 镓空位
年,卷(期) 2016,(2) 所属期刊栏目 材料科学
研究方向 页码范围 140-143
页数 4页 分类号 TN304.55
字数 364字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1673-5862.2016.02.003
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (11)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1996(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2000(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2003(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2006(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2009(3)
  • 参考文献(3)
  • 二级参考文献(0)
2010(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2012(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2016(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
N面GaN
光致发光
镓空位
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
沈阳师范大学学报(自然科学版)
季刊
1673-5862
21-1534/N
大16开
沈阳市皇姑区黄河北大街253号
8-103
1983
chi
出版文献量(篇)
2465
总下载数(次)
4
总被引数(次)
12035
  • 期刊分类
  • 期刊(年)
  • 期刊(期)
  • 期刊推荐
论文1v1指导