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Fully depleted SOI （FDSOI） technology
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摘要：
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SOI SRAM测试研究
绝缘体上硅(SOI)
部分耗尽(PD)
静态存储器
故障模型
测试码
基于PSP-SOI,BSIM-IMG和HiSIM-SOTB的DG SOI建模与仿真
PSP-SOI
BSIM-IMG
HiSIM-SOTB
双栅
MOSFET
直流特性
SOI MOSFET器件的热载流子退化机理
绝缘体上硅
热载流子注入效应
失效机理
可靠性
部分P/N埋层的高压SOI LDMOS研究
击穿电压
导通电阻
部分埋层
绝缘衬底硅
横向双扩散金属氧化物半导体
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
| 篇名 | Fully depleted SOI （FDSOI） technology | ||
| 来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 全耗尽SOI 技术节点 SOI技术 半导体技术 可行技术 CMOS 生态系统 | ||
| 年，卷（期） | zgkx_2016,（6） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 16-30 | |
| 页数 | 15页 | 分类号 | TN304.2 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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全耗尽SOI 技术节点 SOI技术 半导体技术 可行技术 CMOS 生态系统
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