商用CMOS工艺SRAM脉冲中子辐射效应实验

• 作者: 刘岩 杨善潮 林东生 王晨辉 金晓明 陈伟 齐超
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲中子 单粒子翻转 伪多位翻转 静态随机存储器
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 800-804
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 字数: 3303字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201605.0800

摘要

为研究互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺静态随机处理内存(SRAM)脉冲中子辐射效应机理，对 SRAM 翻转效应进行了蒙特卡罗模拟。该模拟基于脉冲中子辐照下 SRAM 翻转是单粒子翻转的叠加的假设，计算了单位翻转和伪多位翻转在总翻转数中的百分比。在西安脉冲反应堆上对3种特征尺寸商用 SRAM 开展了脉冲工况实验研究，得到了单位翻转和伪2位翻转数据，结合模拟结果分析了 SRAM在脉冲中子作用下的翻转机制。