低噪声快速建立的全片内LDO设计

• 作者: 张国俊 张涛 王影 陈远龙
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 低压差线性稳压器 低噪声 快速建立 低静态电流 片内滤波器 集成
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 35-38
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2507字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.02.009

摘要

提出了一种集成于射频芯片的低噪声、快速建立的低压差线性稳压器(LDO).分析了传统LDO的主要噪声源,在综合考虑芯片的噪声、静态电流和面积后,采用超低频低通滤波器,对LDO的输出噪声进行优化.基于SMIC 0.18μm工艺,采用Cadence软件对电路进行仿真.结果表明,10Hz到100 kHz之间的输出积分噪声电压为17μV,建立时间小于18μs,总静态电流为24 μA,满足LDO的应用要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	57	231	8.0	11.0
2	张涛	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	24	81	5.0	7.0
3	陈远龙	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	17	3.0	4.0
4	王影	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	9	25	4.0	4.0