磷含量对真空蒸镀磷掺杂多晶硅薄膜的影响

• 作者: 付传起 王宙 王思源 雍帆 骆旭梁
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 真空蒸镀 多晶硅薄膜 磷掺杂 晶化率
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 53-55,84
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2329字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2016.02.013

摘要

采用真空蒸镀的方法制备磷掺杂多晶硅薄膜,研究了磷含量对多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构、晶粒尺寸及晶化率的影响.结果表明:随着磷掺杂分数的增加,多晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶化率表现出先增加后降低的趋势,当磷掺杂分数为1％时,薄膜晶粒尺寸达到最大值,为0.55 μm,晶化率为96.82％,且晶粒的均匀性最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	付传起	大连大学表面工程中心	34	129	7.0	9.0
2	王宙	大连大学表面工程中心	41	226	10.0	12.0
3	骆旭梁	大连大学表面工程中心	5	14	3.0	3.0
4	王思源	大连大学表面工程中心	6	4	1.0	2.0
5	雍帆	大连大学表面工程中心	5	15	3.0	3.0