Gd掺杂对CaCu3Ti4O12陶瓷材料压敏性能的影响

• 作者: 刘永伟 刘鑫 李涛 谢新宇 陈书林 陈镇平 项会雯
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: Ca1-xGdxCu3Ti4O12陶瓷 微观结构 分子极化 缺陷浓度 压敏性能 势垒高度
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 20-24
• 页数: 5页
• 分类号: TM28
• 字数: 4973字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.10.005

摘要

采用固相法制备了Ca1-xGdxCu3Ti4O12(x=0～0.09)陶瓷系列样品,利用X射线衍射、Raman光谱和正电子湮没等技术手段,对系列样品的微观结构、缺陷浓度进行测试和表征.结果表明,在整个掺杂范围内体系未发生结构相变,掺杂引起体系晶格膨胀、分子极化率增加;随Gd掺杂量x的增加,空位型缺陷增加.电性能测试结果表明,适量Gd掺杂(x=0.01)有利于改善体系的压敏性能,而过量Gd掺杂(x=0.07-0).09)会阻碍晶界势垒的形成,因而抑制体系的压敏性能.讨论了体系微观结构、空位型缺陷浓度及晶界势垒高度等因素对体系压敏性能的影响特征.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈镇平	郑州轻工业学院物理与电子工程学院	55	139	6.0	8.0
2	刘鑫	郑州轻工业学院物理与电子工程学院	5	66	4.0	5.0
3	李涛	郑州轻工业学院物理与电子工程学院	31	68	4.0	6.0
4	谢新宇	郑州轻工业学院物理与电子工程学院	2	6	2.0	2.0
5	项会雯	郑州工业应用技术学院基础教程学部	1	2	1.0	1.0
6	陈书林	郑州轻工业学院物理与电子工程学院	1	2	1.0	1.0
7	刘永伟	郑州轻工业学院物理与电子工程学院	1	2	1.0	1.0