单晶硅抛光片表面质量探究

• 作者: 杨洪星 范红娜
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 清洗技术 花篮 氢氟酸 颗粒度
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 材料制造工艺与设备
• 页码范围: 27-29,44
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1385字
• 语种: 中文

摘要

LED集成度越来越高,集成电路线宽不断收窄,对硅衬底表面的质量提出了越来越严苛的要求,抛光片表面质量对器件制造有重要影响.RCA清洗是晶片清洗最为成熟的工艺,其工艺稳定性受到多重因素影响.从DHF溶液使用及PFA花篮质量两方面分析了RCA清洗过程的两个关键因素对晶片表面质量的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨洪星	中国电子科技集团公司第四十六研究所	50	145	6.0	8.0
2	范红娜	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	2	1.0	1.0