SiC MOSFET器件抗辐照特性研究

• 作者: 吴昊 李永平 杨霏 王勇 王敬轩 王永维
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: SiC MOSFET 抗辐照 单粒子栅穿 单粒子烧毁
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 所属期刊栏目: 理论研究
• 页码范围: 1078-1081
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 字数: 2606字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14171/j.2095-5944.sg.2016.11.004

摘要

针对SiC功率金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOSFET)器件进行了抗辐照试验的研究，利用实验室环境模拟空间辐照进行了试验，采用60Coγ射线源与测试系统开展了总剂量辐照试验研究，对SiC MOSFET器件的阈值电压与导通电阻的漂移进行了表征，得到辐照后阈值电压的漂移小于0.8 V，导通电阻的变化小于0.02?。同时采用Br、I、Au三种离子作为单粒子辐射源，研究了SiC MOSFET器件的单粒子栅穿(single event gate rupture， SEGR)和单粒子烧毁(single event burnout，SEB)机制。通过试验获得了SiC MOSFET器件抗辐照特性参数，为其在航空、航天等领域中的应用提供了技术参考。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王勇	中国电子科技集团公司第十三研究所	53	98	6.0	7.0
2	王永维	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	7	2.0	2.0
3	李永平		3	8	2.0	2.0
4	吴昊		6	16	2.0	3.0
5	杨霏		14	36	3.0	5.0
6	王敬轩	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	5	1.0	2.0