大功率LED封装界面层裂对界面传热性能的影响分析

• 作者: 刘东静 杨道国 聂要要 莫月珠 蔡苗
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 大功率LED 芯片粘结层 界面层裂 有限元分析 热仿真 传热性能
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 76-80
• 页数: 5页
• 分类号: TN604
• 字数: 3062字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.08.018

摘要

对大功率LED封装器件进行了封装界面层裂的热仿真分析,在芯片粘结(DA)层上构建了不同的界面层裂模型,探究了不同层裂形状、位置及分布时界面层裂对芯片热传递的影响规律.结果表明:随着界面层裂面积的增加,LED芯片结温以14℃/mm2以上的速率增大,层裂面积达到36％时,芯片最高温度为68.68℃,相比无层裂时升高了9.8％;并且界面层裂处于DA层的下界面比上界面对芯片温度分布影响更大;此外,针对同一界面的层裂缺陷,相对于边缘位置和中心位置,封装边角位置的层裂对整体LED封装热传输能力的阻碍作用更明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡苗	桂林电子科技大学机电工程学院	20	50	4.0	6.0
2	杨道国	桂林电子科技大学机电工程学院	53	221	9.0	12.0
3	刘东静	桂林电子科技大学机电工程学院	13	23	3.0	4.0
4	莫月珠	桂林电子科技大学机电工程学院	1	4	1.0	1.0
5	聂要要	桂林电子科技大学机电工程学院	1	4	1.0	1.0