基于射频磁控溅射法制备ZnO薄膜研究?

• 作者: 冯清茂 温殿忠 白忆楠 艾春鹏 赵晓锋
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 射频磁控溅射 微结构 阻变特性
• 年，卷（期）: 2016,（z2）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 81-84
• 页数: 4页
• 分类号: TM614
• 字数: 2946字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2016.增刊(Ⅱ).015

摘要

研究射频磁控溅射法制备ZnO 薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)研究溅射功率、溅射时间和退火温度对薄膜微结构特性的影响,并分析ZnO 薄膜阻变特性.实验结果表明,沉积态薄膜择优取向为?002?晶向,随溅射功率和退火温度增加,择优取向显著增强,溅射功率120 W时薄膜生长速率可达4．8 nm/min,薄膜厚度92 nm的ZnO 薄膜具有阻变特性且开关比可达104.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	温殿忠	黑龙江大学黑龙江省高校电子工程重点实验室	51	330	10.0	15.0
2	冯清茂	黑龙江大学化学化工与材料学院	6	227	3.0	6.0
3	赵晓锋	黑龙江大学黑龙江省高校电子工程重点实验室	27	123	8.0	10.0
4	艾春鹏	黑龙江大学黑龙江省高校电子工程重点实验室	5	10	2.0	3.0
5	白忆楠	黑龙江大学黑龙江省高校电子工程重点实验室	1	3	1.0	1.0