磁控溅射法制备Fe-Si化含物薄膜的研究

• 作者: 高伟超
• 来源期刊: 陶瓷
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 晶体结构 X射线衍射 Fe-Si化合物
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 35-39
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174.1+4
• 字数: 3916字
• 语种: 中文

摘要

笔者采用磁控溅射的方法,在高真空不同的溅射气压条件下,沉积金属Fe到Si(100)衬底上,然后通过真空退火炉在2h和12h条件下对两组样品进行热处理,直接形成了Fe-Si化合物薄膜.采用X射线衍射仪对样品进行了晶体结构分析,利用卢瑟福背散射对Fe-Si化合物的形成过程中的Fe原子和Si原子的互扩散机理进行了研究,结果表明,在溅射气压为1.0～1.5 Pa,退火温度为800℃退火12h能够得到质量很好的Fe-Si薄膜,超过1.5 Pa时就会朝其他的Fe-Si化合物转变,还可能有Fe和Si的氧化物生成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高伟超		16	13	2.0	3.0