铋掺杂氧化铟锌薄膜晶体管的研究

• 作者: 张群 杨建文 皮树斌 韩炎兵
• 来源期刊: 复旦学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 铋掺杂 氧化铟锌铋(IZBO) 薄膜晶体管(TFT)
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 309-313,320
• 页数: 6页
• 分类号: TN321+.5
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法制备了以非晶铋掺杂氧化铟锌(a-IZBO)为沟道层的薄膜晶体管(TFTs).相比本征的氧化铟锌薄膜晶体管,a-IZBO-TFTs显示出更低的关态电流,正向偏移的开启电压,表明铋掺杂能有效抑制载流子浓度.在铋掺杂含量为原子百分比8.6％时达到最佳的电学性能:载流子迁移率为7.5 cm2/(V·s),开关比为3×108,亚阈值摆幅为0.41V/decade.使用光致发光激发谱和X射线光电子能谱评价了a-IZBO沟道层中的氧空位缺陷,分析结果证实了铋的掺杂确实有效地减少了氧空位,从而抑制了半导体沟道层中的载流子浓 度,对a-IZO-TFTs的总体电学性能改善起到较大的作用.