深亚微米SOI工艺的输出结构ESD研究

• 作者: 高国平 黄登华
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: SOI ESD 输出缓冲器
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 45-47
• 页数: 3页
• 分类号: TN406
• 字数: 1794字
• 语种: 中文

摘要

SOI(Silicon-On-Insulator)是一种在未来很有竞争优势的工艺技术,但由于其与体硅工艺结构上的不同,给其ESD设计带来了额外的挑战.通过串联的NMOS管来提高输出管的触发电压,以提升输出缓冲器的ESD能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高国平	中国电子科技集团公司第五十八研究所	6	4	1.0	1.0
2	黄登华	中国电子科技集团公司第五十八研究所	1	0	0.0	0.0