深亚微米ESD版图设计及优化研究

• 作者: 史君
• 来源期刊: 上海建桥学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: GGNMOS ESD 版图 深亚微米 优化设计
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 页码范围: 59-62
• 页数: 4页
• 分类号: TN402

摘要

在集成电路领域，由于静电放电ESD（ElectroStatic Discharge）导致的芯片失效一直是一个相当严重的问题，随着器件特征尺寸的不断减小，迫切需要对ESD失效机理进行广泛研究。文章针对GGNMOS（Gate-Grounded NMOS）器件的ESD防护问题，从ESD电学特性及其工艺角度，分析ESD器件GGNMOS版图设计的关键要素，并进行了版图优化设计，对基于0．13um工艺的一个ESDGGNMOS版图模型给出了设计参数。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史君	上海建桥学院机电学院	2	0	0.0	0.0