影响SiC外延生长速率的相关因素探讨

• 作者: 丁杰钦 杨一鸣 林伯奇 陈特超 龙长林 龚杰洪
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 三层流喷淋头 4H-SiC C/Si比 生长速率
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体制造工艺与设备
• 页码范围: 14-17
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1542字
• 语种: 中文

摘要

研制了水平热壁式外延沉积系统,设计了双加热器温控系统和水平三层流喷淋系统,介绍了温场和流场获得方法.在偏4°的Si面4H-SiC单晶衬底上进行了工艺验证.研究了生长温度、C/Si以及SiH 4流量对SiC外延生长速率的影响,通过主要参数的综合调整,生长出了表面光滑的SiC外延膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈特超	中国电子科技集团公司第四十八研究所	21	38	3.0	5.0
2	林伯奇	中国电子科技集团公司第四十八研究所	8	6	1.0	1.0
3	龚杰洪	中国电子科技集团公司第四十八研究所	8	22	3.0	4.0
4	杨一鸣	中国电子科技集团公司第四十八研究所	8	14	3.0	3.0
5	龙长林	中国电子科技集团公司第四十八研究所	3	2	1.0	1.0
6	丁杰钦	中国电子科技集团公司第四十八研究所	1	0	0.0	0.0