FTO上溅射ITO薄膜及光电性能

• 作者: 徐书林 李亚玮 胡志强
• 来源期刊: 大连工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲磁控溅射 透明导电薄膜 氧化铟锡薄膜
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 纺织与材料工程
• 页码范围: 279-282
• 页数: 4页
• 分类号: TB321
• 字数: 2878字
• 语种: 中文

摘要

通过脉冲磁控溅射法在掺氟氧化锡透明导电薄膜(FTO)基底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜.研究了溅射时间和衬底温度对FTO基底上制备的ITO薄膜的光透过率和电性能的影响.采用SZT-2四探针测试仪测量样品表面的电阻,用扫描电镜(SEM)对样品进行表征.结果表明,随着溅射时间的增加以及衬底温度的升高,以FTO导电薄膜为基底制备的氧化铟锡(ITO)透明导电膜的电阻逐渐减小,而后基本保持不变.在基片温度为400 ℃、溅射时间为45 min时,方块电阻最小值达到1.5 Ω.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡志强	大连工业大学新能源材料研究所	67	242	8.0	11.0
2	李亚玮	大连工业大学新能源材料研究所	4	8	2.0	2.0
3	徐书林	大连工业大学新能源材料研究所	2	9	2.0	2.0