磁控溅射法制备ITO薄膜的结构及光电性能

• 作者: 张秀芳 桂太龙 梁栋 汪钢
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: ITO薄膜 直流磁控溅射 透光率 微观结构 光电性能
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 光电子器件及显示技术
• 页码范围: 241-243,248
• 页数: 4页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 2574字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.02.002

摘要

本文采用直流磁控溅射法在基板温度1OO℃、100%Ar气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物(In2O3:SnO2=90:10,质量百分比)薄膜.利用XRD、AFM、SEM、多功能光栅光谱仪和四探针电阻测试仪对薄膜的结构、表面形貌、透光率和方阻进行了测定和分析,研究了溅射功率对薄膜透光率的影响.结果表明:ITO薄膜的方阻随溅射功率的增加而下降;经过热处理,ITO薄膜可见光透光率从60.4%增加到88.3%;ITO薄膜在360 nm到380 nm的紫光区域透光率最低,760 nm到800nm的红光区域透光率达到最高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	桂太龙	哈尔滨理工大学应用科学学院	18	86	5.0	8.0
2	梁栋	哈尔滨理工大学应用科学学院	4	20	3.0	4.0
3	张秀芳	哈尔滨理工大学应用科学学院	4	20	3.0	4.0
4	汪钢	哈尔滨理工大学应用科学学院	3	20	3.0	3.0