界面热阻对GaN HEMT自热效应的影响

• 作者: 吴云飞 崔虹云 胡明 韩海生 马佳
• 来源期刊: 佳木斯大学学报（自然科学版）
• 学科: 数学
• 关键词: GaNHEMT 界面热阻 自热效应
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 页码范围: 973-975
• 页数: 3页
• 分类号: O157.5
• 字数: 1633字
• 语种: 中文

摘要

主要研究了界面热阻对在大功率工作条件下的GaN HEMT的自热效应的影响.当GaN HEMT器件工作在大功率条件下时会产生自热效应使得自身温度升高,将会使得器件有源沟道温度升高,影响到器件的正常工作特性,产生温漂等一些列现象.计算了GaN HEMT器件不同材料界面之间的界面热阻,在此基础之上,进行三维建模,仿真了GaN HEMT器件在考虑界面热阻时的温度分布情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔虹云	佳木斯大学理学院	75	184	6.0	11.0
2	马佳	佳木斯大学理学院	26	6	2.0	2.0
3	韩海生	佳木斯大学理学院	43	29	3.0	4.0
4	胡明	佳木斯大学理学院	42	165	7.0	12.0
5	吴云飞	佳木斯大学理学院	63	75	4.0	5.0