超薄VO2外延薄膜的制备及其金属-绝缘体相变的原位研究

• 作者: 何云斌 唐志武 徐马记 李派 黎明锴
• 来源期刊: 湖北大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: VO2薄膜 金属-绝缘体相变 电子束蒸发法 扫描隧道显微镜 低能电子衍射 X线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 功能氧化物的制备与特征研究专栏
• 页码范围: 222-226
• 页数: 5页
• 分类号: O469|O484
• 字数: 2551字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2375.2017.03.002

摘要

采用电子束蒸发法(EBE)在单晶TiO2(110)衬底上沉积VO2超薄薄膜.实验以高纯金属V棒为蒸发源,高纯氧气作为反应气体,固定生长温度330℃,氧压2×10-6 mbar,然后通过改变不同的V蒸发速率和生长时间制备出不同特性的VO2薄膜.利用原位的扫描隧道显微镜、低能电子衍射(LEED)和X线光电子能谱系统地分析所得样品的表面形貌、结构特征以及相转变过程中的能带结构变化,并对比找出EBE制备法的最佳生长条件.结果表明,当蒸发束流固定在20nA时,LEED点阵较亮,薄膜显示出接近于原子级平滑的表面;随着生长时间的增加,表面变粗糙,点阵变暗,V的价态逐渐降低,从+5价过渡到+3价;在薄膜厚度接近10个原子层时,薄膜存在金属-绝缘体相变行为.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何云斌		3	2	1.0	1.0