高质量外延VO2薄膜制备及其金属-绝缘体相变特性研究

• 作者: 何云斌 唐志武 徐马记 陶欣 黎明锴
• 来源期刊: 湖北大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: VO2 金属-绝缘体相变(MIT) 脉冲激光沉积(PLD) 外延薄膜
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 功能氧化物的制备与特征研究专栏
• 页码范围: 217-221
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1|TQ135
• 字数: 2473字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2375.2017.03.001

摘要

采用脉冲激光沉积法,在c面蓝宝石衬底上,以VO2陶瓷作为烧蚀靶材,高纯氧气作为反应气体,固定衬底温度600℃,通过改变生长氧压制备VO2薄膜.利用X线衍射仪、原子力显微镜、四探针测试仪测试,系统研究生长氧压对VO2薄膜晶体结构、表面形貌、金属-绝缘体相变(MIT)特性的影响.实验结果表明:生长氧压1.2Pa时,薄膜(020)晶面摇摆曲线半高宽低至0.061°,结晶质量高;薄膜表面平整光滑;薄膜相变温度接近68℃,金属-绝缘体转变特性显著,电阻率有4个数量级变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何云斌		3	2	1.0	1.0