基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
工艺进入65nm后,芯片集成度越来越高,器件的尺寸原来越小,加上走线宽度的减少,互连寄生效应越来越大,对SR AM的性能的影响也愈加显著.本文从全定制的设计流程出发,介绍了怎样实现SR AM不同功能模块之间的版图布局和IP的设计.在保证模块性能的同时,减少互连寄生对SRAM的影响,保证SRAM的高速运行.
推荐文章
65 nm 工艺 SRAM 低能质子单粒子翻转实验研究
质子
单粒子翻转
直接电离
随机静态存储器
软错误率
65nm CMOS工艺时钟发生器的设计与实现
Delta-sigma
模数转换器
抖动
锁相环
65 nm工艺SRAM低能质子单粒子翻转错误率预估
质子单粒子翻转
空间辐射环境
错误率预估
65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究
多位翻转
静态随机存储器
双阱
电荷共享
重离子
微束实验
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 基于65nm高速SRAM全定制设计
来源期刊 电脑与电信 学科 工学
关键词 SRAM 全定制 版图 高速
年,卷(期) 2017,(7) 所属期刊栏目 集成电路设计
研究方向 页码范围 44-47
页数 4页 分类号 TP333
字数 1503字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 裴国旭 8 7 2.0 2.0
2 杜明 6 7 2.0 2.0
3 贾柱良 2 2 1.0 1.0
4 兰韬 1 2 1.0 1.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (4)
节点文献
引证文献  (2)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2010(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2011(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2013(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2017(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2019(2)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
SRAM
全定制
版图
高速
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电脑与电信
月刊
1008-6609
44-1606/TN
大16开
广州市连新路171号国际科技中心B108室
1995
chi
出版文献量(篇)
8962
总下载数(次)
13
总被引数(次)
9565
论文1v1指导