基于共享Buffer的LIGBT和PLDMOS器件研究

• 作者: 代高强 孟令锋 张恩阳 黄勇
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅 LIGBT PLDMOS 共享Buffer
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 46-48
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 868字
• 语种: 中文

摘要

介绍了基于共享Buffer技术的SOI(绝缘体上硅)LIGBT和PLDMOS,相对于传统工艺可以节约2层光刻板和2步工艺流程.主要通过研究在器件漏区的缓冲层特性,对器件特性影响明显.通过实验和仿真结果对比,共享Buffer技术的器件通过工艺和版图优化后能达到原有器件的表现性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张恩阳		6	13	2.0	3.0
2	黄勇		3	0	0.0	0.0
3	孟令锋		1	0	0.0	0.0
4	代高强		1	0	0.0	0.0