200 V高压SOI PLDMOS研究

• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 击穿电压 导通电阻 SOI PLDMOS
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态电子器件
• 页码范围: 880-883
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1822字
• 语种: 中文

摘要

提出了一种200 V高压SOI PLDMOS器件结构,重点研究了SOI LDMOS的击穿电压、导通电阻等电参数与漂移区注入剂量、漏端缓冲层、Nbody注入剂量及场极板长度等之间的关系.经过专业半导体仿真软件TSUPREM-4和MEDICI模拟仿真,在0.8 μm 埋氧层、10 μm SOI层材料上设计得到了关态耐压248 V、开态饱和电流2.5×10-4A/μm、导通电阻2.1(105 Ω*μm的SOI PLDMOS,该器件可以满足PDP扫描驱动芯片等的应用需求.