高压SOI PLDMOS的寄生双沟道特性分析及其改进结构

• 作者: 孙伟锋 王靖琳 钱钦松
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SOI PLDMOS 寄生效应 双沟道 击穿电压
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态及真空电子器件
• 页码范围: 31-34
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2382字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.01.009

摘要

分析了存在于高压SOI PLDMOS器件中的寄生双沟道效应的产生机理,并提出了改进型的新结构.该结构有效地抑制了SOI PLDMOS器件的寄生双沟道效应,不但显著提高了器件的击穿电压,同时还改善了器件可靠性.借助二维器件仿真分析了器件耐压与电场分布和器件结构的关系.模拟结果表明,该结构使器件耐压由传统结构的109 V提高到213 V,突破了传统SOI PLDMOS器件的耐压值,明显地改善了器件特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
2	钱钦松	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	14	56	5.0	6.0
3	王靖琳	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	1	2	1.0	1.0