FeSiCr/SiO2软磁复合材料的制备及磁性能研究

• 作者: 任劲松 庞新峰 李勃 王进 郭海
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: FeSiCr软磁合金 正硅酸乙酯 电阻率 磁导率 功率损耗 品质因数
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 51-56
• 页数: 6页
• 分类号: TM271
• 字数: 4285字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.01.010

摘要

以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为偶联剂,采用溶胶-凝胶法,在FeSiCr软磁合金表面包覆上SiO2壳层.对包覆粉末进行压制成型和退火热处理,制备了高频下低损耗的FeSiCr/SiO2软磁复合材料.通过XRD、FTIR、XPS、SEM等手段对包覆粉末的相结构、成分及表面微结构进行表征,通过四探针电阻仪、B-H分析仪等对复合材料电阻率、磁导率、功率损耗、品质因数等性能参数进行研究.结果表明:通过SiO2绝缘包覆处理可大幅度提高FeSiCr软磁合金电阻率,降低高频下功率损耗,提高材料品质因数;随着TEOS添加量提高,包覆效果及材料性能呈现先提升后恶化的趋势,添加量为12 mL时,软磁复合材料综合性能最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李勃	清华大学深圳研究生院信息功能材料与器件实验室	31	117	7.0	10.0
2	王进	清华大学深圳研究生院信息功能材料与器件实验室	11	271	6.0	11.0
3	郭海		4	5	1.0	1.0
4	任劲松	清华大学深圳研究生院信息功能材料与器件实验室	1	1	1.0	1.0
5	庞新峰		2	2	1.0	1.0