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GaN太赫兹肖特基变容二极管倍频效率的研究
GaN太赫兹肖特基变容二极管倍频效率的研究
作者:
代鲲鹏
张凯
林罡
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
GaN
肖特基变容二极管
太赫兹
恒定掺杂
渐变掺杂
倍频效率
摘要:
本文使用Sentaurus仿真工具对恒定掺杂和渐变掺杂两种典型掺杂的GaN太赫兹肖特基变容二极管进行了仿真研究.着重研究了两种掺杂方式下轻掺杂外延层掺杂浓度对变容二极管的C-V特性和倍频效率的影响.通过数字滤波求解输入频率300 GHz幅值8 V的正弦电压在偏置电压为-8 V时产生的各频率分量,计算出具有不同掺杂浓度的GaN二极管的倍频效率.结果显示,在仿真掺杂浓度范围内并且不考虑外围电路影响的前提下,恒定掺杂的GaN变容二极管的二倍频效率最大值为32.5%,三倍频效率最大值为16.1%;而采用渐变掺杂方式能够显著提高二极管的倍频效率,在仿真的掺杂浓度范围内,二倍频与三倍频效率均最大能提高50%左右.通过理论推导和仿真结果的计算揭示了决定掺杂浓度与倍频效率之间的关系变化趋势的内在因素.本文的研究对GaN肖特基变容二极管的倍频效率进行了理论预测,并提出了渐变掺杂提高倍频效率的解决方案,这对后续的器件设计与制备具有指导意义.
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太赫兹肖特基二极管技术研究进展
太赫兹
肖特基二极管
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涡流二极管泵性能
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文献信息
篇名
GaN太赫兹肖特基变容二极管倍频效率的研究
来源期刊
电子元件与材料
学科
工学
关键词
GaN
肖特基变容二极管
太赫兹
恒定掺杂
渐变掺杂
倍频效率
年,卷(期)
2018,(12)
所属期刊栏目
研究与试制
研究方向
页码范围
9-16
页数
8页
分类号
TN771
字数
5269字
语种
中文
DOI
10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.12.002
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
林罡
南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
15
107
5.0
10.0
2
张凯
南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
6
13
2.0
3.0
3
代鲲鹏
南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
1
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传播情况
被引次数趋势
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引文网络
引文网络
二级参考文献
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共引文献
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参考文献
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节点文献
引证文献
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同被引文献
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1964(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1982(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1990(1)
参考文献(0)
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1991(1)
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二级参考文献(2)
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参考文献(0)
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参考文献(0)
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参考文献(1)
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参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
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研究主题发展历程
节点文献
GaN
肖特基变容二极管
太赫兹
恒定掺杂
渐变掺杂
倍频效率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
主办单位:
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
开本:
大16开
出版地:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
邮发代号:
62-36
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
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