RTD-gated HEMT研究进展

• 作者: 朱长举
• 来源期刊: 信息技术与网络安全
• 学科: 物理学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 太赫兹 谐振隧穿二极管 等离子体
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: ITNS 主题专栏:中国电子"网络安全和信息化"专题
• 页码范围: 4-8,12
• 页数: 6页
• 分类号: O434.3
• 字数: 2958字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19358/j.issn.2096-5133.2018.09.002

摘要

高电子迁移率晶体管和谐振隧穿二极管是两种常用的高频器件,已经广泛应用于微波射频领域.由于太赫兹科学技术对国防科技、信息安全、农业生产等方面具有重要意义,这两种器件的应用范围逐渐渗透到太赫兹频段中.谐振隧穿二极管型栅控高电子迁移率晶体管兼具等离子振荡和负微分电阻的特性,非常适合太赫兹科学技术的发展与应用.阐述了该器件的性能和主要应用范围,最后指出了该器件制造和大范围商业推广的主要难点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱长举		1	0	0.0	0.0