DDR3上的双读写通道设计与实现

• 作者: 叶李萍 唐瑞 姚远程 王经坤
• 来源期刊: 自动化仪表
• 学科: 工学
• 关键词: DDR3控制器 单片机 双读写通道 时分复用 桥接电路 数据切换
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 智能控制技术及应用
• 页码范围: 14-17
• 页数: 4页
• 分类号: TH7|TP332
• 字数: 3379字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16086/j.cnki.issn1000-0380.2017100025

摘要

针对DDR3的灵活性与使用效率问题,提出了一种DDR3上的双读写通道设计与实现策略.在DDR3上切割出两套独立读写通道,基于时分复用(TDM)原则,使每套读写状态互不影响,能按要求完成用户任意读写指令.设计了一种时分复用桥接电路,通过数据切换器,使两套用户读写接口分时的与DDR3控制器接口相连接.将DDR3 IP核MIG提供的一套控制接口搭建为两套独立的用户读写接口,分时间片轮循执行用户读写命令,能总体实现对 DDR3的同时读写操作.板级测试表明,DDR3内部读写时钟达800 MHz,外部用户接口操作时钟达200 MHz,用户数据位宽达256 bit,能满足用户同时读写的要求.该策略有助于解决各种高速实时数据缓存问题,具有广泛的应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚远程	西南科技大学信息工程学院	103	490	10.0	13.0
2	叶李萍	西华师范大学商学院	4	2	1.0	1.0
3	唐瑞	西南科技大学信息工程学院	4	14	2.0	3.0
4	王经坤	西南科技大学信息工程学院	1	2	1.0	1.0