一种VDMOS阈值电压和导通电阻的优化方法

• 作者: 陈惠明
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 功率场效应晶体管 阈值电压 导通电阻
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: TN305|TN386.1
• 字数: 1175字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.06.010

摘要

功率场效应晶体管应用广泛,其阈值电压和导通电阻是其重要的参数.针对不同栅氧厚度的产品设计不同的多晶硅厚度实验来寻找最佳工艺条件,最终找到了阈值电压产品和导通电阻的最佳多晶硅厚度条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈惠明		2	2	1.0	1.0