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磁控溅射结合脉冲激光制备钛掺杂硅薄膜的研究
磁控溅射结合脉冲激光制备钛掺杂硅薄膜的研究
作者:
刘德雄
张延彬
李晓红
温才
王凯
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
激光物理
脉冲激光
磁控溅射
硅
超掺杂
深能级杂质
摘要:
发展了一种改进的新型超掺杂工艺,通过真空磁控溅射多层镀膜后结合532 nm波长可见纳秒脉冲激光熔融处理,进行超掺杂钛的硅薄膜材料的制备,并对材料的超掺杂层的性质和红外吸收性能进行了探究.结果表明,硅膜层中掺杂的钛原子的百分比浓度超过1%左右,对应钛原子浓度约为5×1020 cm-3左右,超过钛在硅中形成超掺杂所对应的原子浓度.钛超掺杂层的厚度超过200 nm左右,相对传统工艺具有明显提升,并且钛原子的浓度变化范围不超过20%,分布比较均匀.小角度X射线衍射测试表明经过可见脉冲激光熔融处理后的硅薄膜层材料结晶度为25%左右,呈多晶结构.同时红外吸收谱测试表明,样品的钛掺杂硅膜层在大于1 100 nm波长的区域具有很高的红外吸收效果,最高的红外吸收系数达到1.2×104 cm-1,远超过单晶硅材料.具有比较明显的亚能带吸收的特征,呈现出Ec-0.26 eV的掺杂能级.霍尔效应测试表明硅膜层具有较高的载流子浓度,超过了8×1018 cm-3.
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(/年)
文献信息
篇名
磁控溅射结合脉冲激光制备钛掺杂硅薄膜的研究
来源期刊
光子学报
学科
物理学
关键词
激光物理
脉冲激光
磁控溅射
硅
超掺杂
深能级杂质
年,卷(期)
2018,(9)
所属期刊栏目
材料
研究方向
页码范围
75-82
页数
8页
分类号
O472+.3
字数
语种
中文
DOI
10.3788/gzxb20184709.0916005
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
李晓红
西南科技大学理学院极端条件物质特性联合实验室
15
101
6.0
10.0
2
王凯
西南科技大学理学院极端条件物质特性联合实验室
8
16
2.0
3.0
3
温才
西南科技大学理学院极端条件物质特性联合实验室
8
37
5.0
6.0
4
刘德雄
西南科技大学理学院极端条件物质特性联合实验室
6
10
2.0
3.0
5
张延彬
西南科技大学理学院极端条件物质特性联合实验室
2
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参考文献(1)
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节点文献
激光物理
脉冲激光
磁控溅射
硅
超掺杂
深能级杂质
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光子学报
主办单位:
中国光学学会
中国科学院西安光学精密机械研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1004-4213
CN:
61-1235/O4
开本:
大16开
出版地:
西安市长安区新型工业园信息大道17号47分箱
邮发代号:
52-105
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
8749
总下载数(次)
11
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