基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
本文首次提出集成电路动态闩锁检测方法,用于检测集成电路的真实闩锁防护能力等级,从而为军用集成电路产品闩锁检验提供依据.文中研究了FPGA和D/A转换器等典型集成电路的动态闩锁配置程序设计和试验程序设计等,对FPGA和D/A转换器进行了动态闩锁试验验证,并和静态条件下的试验结果进行对比.试验结果表明,动态条件下的闩锁效应相对静态有较明显的恶化.
推荐文章
集成电路闩锁效应测试
闩锁测试
待测器件
触发
电流触发测试
过压测试
CMOS集成电路闩锁效应抑制技术
CMOS集成电路
闩锁效应
可控硅
抑制
CMOS集成电路闩锁效应抑制技术综述
CMOS集成电路
闩锁效应
可控硅
抑制
高温CMOS集成电路闩锁效应分析
高温LDD CMOS集成电路
闩锁效应
解析表达式
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 集成电路动态闩锁效应检测方法研究
来源期刊 电子元器件与信息技术 学科
关键词 集成电路 动态闩锁效应 恶劣条件 失效机理 静态条件
年,卷(期) 2018,(8) 所属期刊栏目 电子电力
研究方向 页码范围 81-84,92
页数 5页 分类号
字数 4482字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.2096-4455.2018.08.026
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄东巍 10 7 1.0 2.0
2 蔡依林 4 11 2.0 3.0
3 任翔 11 13 2.0 3.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (5)
同被引文献  (13)
二级引证文献  (0)
2018(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2019(2)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(0)
2020(3)
  • 引证文献(3)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
集成电路
动态闩锁效应
恶劣条件
失效机理
静态条件
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元器件与信息技术
月刊
2096-4455
10-1509/TN
16开
北京市石景山区鲁谷路35号
2017
chi
出版文献量(篇)
2445
总下载数(次)
25
总被引数(次)
1757
论文1v1指导