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摘要:
与集成电路的发展相对应,芯片采用的工艺也在随之提升,具有比较良好的性能,但是同时先进工艺的使用对芯片产生的静电放电既ESD的承受能力降低了,因此需要提升ESD的防护能力.从而进行ESD防护电路的有效设计,我国ESD的发展应当充分向国际水平看齐.
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文献信息
篇名 集成电路的ESD防护关键技术分析
来源期刊 电子测试 学科
关键词 集成电路 ESD防护 关键技术 分析
年,卷(期) 2018,(11) 所属期刊栏目 理论与算法
研究方向 页码范围 41-42
页数 2页 分类号
字数 2823字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-8519.2018.11.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 时聪 1 4 1.0 1.0
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2019(4)
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研究主题发展历程
节点文献
集成电路
ESD防护
关键技术
分析
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子测试
半月刊
1000-8519
11-3927/TN
大16开
北京市100098-002信箱
82-870
1994
chi
出版文献量(篇)
19588
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63
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36145
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