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GaN基异质结中2DEG的散射机制
GaN基异质结中2DEG的散射机制
作者:
张子砚
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
GaN
2DEG
散射机制
异质结
摘要:
采用了雷-丁平衡方程描述GaN/AlGaN中2DEG系统,总结GaN基异质结中2DEG的散射机制,主要的散射机制有电离杂质散射、压电散射及合金无序散射等.分析了各散射机制对2DEG输运的影响.
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篇名
GaN基异质结中2DEG的散射机制
来源期刊
科技风
学科
关键词
GaN
2DEG
散射机制
异质结
年,卷(期)
2018,(22)
所属期刊栏目
电子信息
研究方向
页码范围
56,69
页数
2页
分类号
字数
1972字
语种
中文
DOI
10.19392/j.cnki.1671-7341.201822053
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
张子砚
贵阳学院电子与通信工程学院
12
13
2.0
3.0
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引文网络
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2DEG
散射机制
异质结
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
科技风
主办单位:
河北省科技咨询服务中心
出版周期:
旬刊
ISSN:
1671-7341
CN:
13-1322/N
开本:
16开
出版地:
河北省石家庄市
邮发代号:
创刊时间:
1988
语种:
chi
出版文献量(篇)
77375
总下载数(次)
264
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