晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结电容散射机制

• 作者: 任舰 李文佳 苏丽娜
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 晶格匹配 In0.17Al0.83N/GaN异质结 电容频率散射
• 年，卷（期）: 2018,（24）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 206-210
• 页数: 5页
• 字数: 1152字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20181050

摘要

制备了晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结圆形平面结构肖特基二极管,通过测试和拟合器件的电容-频率曲线,研究了电容的频率散射机制.结果表明:在频率高于200 kHz后,积累区电容随频率出现增加现象,而传统的电容模型无法解释该现象.通过考虑漏电流、界面态和串联电阻等影响对传统模型进行修正,修正后的电容频率散射模型与实验结果很好地符合,表明晶格匹配In0.17Al0.s3N/GaN异质结电容随频率散射是漏电流、界面态和串联电阻共同作用的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李文佳	淮阴师范学院物联网工程系	10	1	1.0	1.0
2	任舰	淮阴师范学院物联网工程系	12	1	1.0	1.0
3	苏丽娜	淮阴师范学院物联网工程系	10	1	1.0	1.0