高场应力下晶格匹配In0.17Al0.83N/GaNHEMT退化研究

• 作者: 任舰 李文佳 苏丽娜
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 晶格匹配 In0.17Al0.83N/GaN HEMT 势垒层陷阱 退化 应力
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2487字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.12.006

摘要

制备了晶格匹配In0.17 Al0.83 N/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),并通过施加一个持续的应力,研究了器件在不同源漏应力下的退化机制.结果表明:应力后器件主要参数如饱和漏电流、 跨导峰值和阈值电压等均发生明显的退化,并且随着源漏应力的增大,退化越来越明显.通过分析不同应力条件下器件转移特性的退化与恢复过程,提出一个沟道电子俘获和去俘获机制来解释该退化:由于InAlN势垒层中存在高密度缺陷,应力持续过程中,沟道热电子逐渐被缺陷俘获,导致器件退化;当源漏应力被撤去后,经过一段时间,俘获的电子被释放,器件性能逐渐恢复.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李文佳	淮阴师范学院计算机科学与技术学院	10	1	1.0	1.0
2	任舰	淮阴师范学院计算机科学与技术学院	12	1	1.0	1.0
3	苏丽娜	淮阴师范学院计算机科学与技术学院	10	1	1.0	1.0