不同尺寸SiGe HBT Gummel图的参数提取

• 作者: 李垚
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 硅锗 异质结双极晶体管 多尺寸 Gummel图 参数提取
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN431
• 字数: 1672字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2019.01.001

摘要

采用分子束外延法成功制备出非理想因子近似为1的台面型SiGe HBT,测量了正常尺寸和大尺寸两种晶体管的Gummel曲线和交流曲线,并测出其截止频率.运用物理公式变换法对Gummel图进行参数提取,包括非理想因子,集电极和基极串联电阻,集电极和基极反向饱和电流等,其中基极反向饱和电流包括扩散项和复合项两部分.将参数提取结果与资料上的理论值进行了比较,结果基本一致,验证了提参结果的正确性,同时发现扩散电流项与面积成正比,而复合电流项与周长成正比.比较了不同尺寸SiGe HBT的参数提取技术,对大尺寸器件提取出IBO1和I'B01两个值,并给出了现象的相关解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李垚	中国科学技术大学电子科学与技术系	18	90	4.0	9.0