InAs/GaSb应变超晶格红外调制光谱研究

• 作者: 刘铭 折伟林 晋舜国 李乾 申晨 邢伟荣
• 来源期刊: 红外
• 学科: 工学
• 关键词: InAs/GaSb应变超晶格材料 光致发光光谱 截止波长 分子束外延
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 14-18
• 页数: 5页
• 分类号: TM23
• 字数: 2816字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-8785.2019.02.003

摘要

在用步进扫描傅里叶变换红外 (Fourier Transform Infrared, FTIR) 调制光致发光 (Photoluminescence, PL) 光谱仪进行测试时, 基于FTIR的优势, 并结合PL无损、灵敏度高、简单的优点, 通过减弱背景干扰来提高信号强度.研究了背景噪声、杂质能级和温度对InAs/GaSb应变超晶格材料的发射峰强度及位置的影响, 并通过改变测试参数, 总结出了针对不同材料的测试方法.这项研究结果对InAs/GaSb应变超晶格材料的外延生长及后续加工具有参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘铭		41	93	5.0	8.0
2	申晨		6	0	0.0	0.0
3	邢伟荣		18	43	4.0	6.0
4	折伟林		14	44	4.0	6.0
5	李乾		6	0	0.0	0.0
6	晋舜国		6	2	1.0	1.0