高应变InxGa1-xAs薄膜的结晶质量及光学特性

• 作者: 亢玉彬 唐吉龙 张健 房丹 方铉 林逢源 王登魁 魏志鹏
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 应变 拉曼光谱 光致发光 分子束外延 实时监测
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与薄膜
• 页码范围: 71-76
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201946.0203002

摘要

通过分子束外延 (MBE) 生长技术, 在GaAs (100) 基片上生长出单晶InxGa1-xAs薄膜, 利用反射高能电子衍射仪 (RHEED) 实时监控薄膜生长情况.对InxGa1-xAs薄膜进行了X射线衍射 (XRD) 测试, 结果显示该薄膜为高质量薄膜, 且In组分 (原子数分数) 为0.51.光致发光 (PL) 光谱测试结果表明, 室温下发光峰位约为1.55μm;由于InxGa1-xAs薄膜中存在压应变, 光谱峰位出现蓝移.Raman光谱显示GaAs-like横向光学声子 (TO) 模式的峰出现了明显展宽, 验证了InxGa1-xAs薄膜中存在应变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐吉龙		28	104	4.0	10.0
2	方铉		37	60	4.0	6.0
3	魏志鹏		44	104	5.0	8.0
4	王登魁		18	0	0.0	0.0
5	房丹		25	18	3.0	3.0
6	张健		35	106	6.0	7.0
7	林逢源		3	0	0.0	0.0
8	亢玉彬		1	0	0.0	0.0