合金化方法抑制银晶须生长的研究

• 作者: 张瑞强 徐强 林广 肖富强
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 合金化 钯 抑制 银晶须 生长
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 技术与应用
• 页码范围: 77-80
• 页数: 4页
• 分类号: TM53
• 字数: 1756字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.03.014

摘要

瓷介电容器具有诸多优点而被广泛用于电子电路中,而瓷介电容器引出端金属层会自发生长晶须,晶须的产生会造成电气短路、残屑污染、等离子体电弧放电等问题,对电子行业产生一定风险.本文以瓷介电容器端面银层为研究对象,利用合金化的方法,通过向银中添加一定含量的钯,经充分混合、涂覆、烘干、烧银后置于低气压受热环境下,借助SEM、EDS等方法探究添加钯对银晶须生长的影响.结果表明,通过向银中添加钯不能完全抑制银晶须的生长现象,但钯能够减缓银的迁移速率,延长晶须生长孕育期,在一定程度上能够抑制银晶须的生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐强		1	0	0.0	0.0
2	林广		1	0	0.0	0.0
3	张瑞强		1	0	0.0	0.0
4	肖富强		1	0	0.0	0.0