正向偏置(p)SiC/(n)GaN异质结构稳态导电特性的模拟

• 作者: 何明昌 张锦涛 赵少云 郑君鼎 韦文生
• 来源期刊: 温州大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: (p)SiC/(n)GaN异质结构 载流子传导 电容-电压特征 电流-电压特征 模拟
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 36-46
• 页数: 11页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 4563字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3875/j.issn.1674-3563.2019.04.006

摘要

本文利用MATLAB数值模拟了不同晶相(6H、4H、3C)p型掺杂SiC与六方相n型掺杂GaN构成异质结构的正向稳态导电特性.讨论了(p)SiC/(n)GaN异质结构模型,分析了正向偏压、温度对异质结构内载流子分布的影响,考虑了异质结构内载流子复合率随正向偏压的变化,对比了不同温度异质结构的电容-电压特性,探究了异质结构p区及n区不同少子寿命和掺杂浓度、温度等情况下的主要电流成份与正向偏压的关系.模拟数据与文献的实验结果吻合,可指导SiC/GaN异质结构双极晶体管等器件的制造.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何明昌	温州大学数理与电子信息工程学院	41	45	4.0	5.0
2	韦文生	温州大学数理与电子信息工程学院	17	44	4.0	6.0
3	赵少云	温州大学数理与电子信息工程学院	3	1	1.0	1.0
4	郑君鼎	温州大学数理与电子信息工程学院	2	0	0.0	0.0
5	张锦涛	温州大学数理与电子信息工程学院	1	0	0.0	0.0