退火温度和溅射时间对磁控溅射法制备Mg2Si薄膜的影响

• 作者: 廖杨芳 肖清泉 谢泉 陈茜 马新宇
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 磁控溅射 原位退火 交替溅射 退火温度 溅射时间
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 页码范围: 129-134
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13380/j.ltpl.2019.02.008

摘要

采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备Mg2 Si薄膜.首先在钠钙玻璃衬底上交替溅射沉积两层Si、Mg薄膜,冷却至室温后原位退火4h,制备出一系列Mg2Si薄膜样品.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对所得薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征,讨论了退火温度和溅射Si/Mg/Si/Mg时间对制备Mg2 Si薄膜的影响.结果表明,采用磁控溅射法在钠钙玻璃衬底上交替溅射两层Si、Mg薄膜,通过原位退火方式成功制备出单一相的Mg2 Si薄膜,溅射Si/Mg/Si/Mg的时间为12.5/9/12.5/9min,退火温度为550℃时,制备的Mg2 Si薄膜结晶度最好,连续性和致密性最强.这对后续Mg2Si薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉		133	486	12.0	17.0
2	陈茜		45	194	9.0	12.0
3	肖清泉		40	199	7.0	13.0
4	马新宇		6	15	2.0	3.0
5	廖杨芳		7	3	1.0	1.0