硅单晶片化学腐蚀坑深控制的研究

• 作者: 刘娜 刘洋 吕菲 常耀辉
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 硅单晶化学腐蚀片 研磨粒径 各项异性刻蚀 腐蚀坑深
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体制造工艺与设备
• 页码范围: 10-12,20
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1872字
• 语种: 中文

摘要

介绍了硅单晶化学腐蚀片及其应用,指出了应用于TVS分立器件的硅衬底化学腐蚀片的表面质量要求,即要求硅腐蚀片坑深控制在3μm以下.研究了腐蚀前硅片的表面质量与化学腐蚀工艺对硅单晶化学腐蚀片表面质量的影响,并给出了满足衬底要求的加工工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕菲	中国电子科技集团公司第四十六研究所	24	88	6.0	8.0
2	刘洋	中国电子科技集团公司第四十六研究所	42	50	4.0	5.0
3	刘娜	中国电子科技集团公司第四十六研究所	32	70	5.0	7.0
4	常耀辉	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	1	1.0	1.0