高可靠集成电路抗辐射加固技术

• 作者: 窦祥峰
• 来源期刊: 单片机与嵌入式系统应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 CMOS SOI BCD
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 技术纵横
• 页码范围: 38-39,45
• 页数: 3页
• 分类号: TN7
• 字数: 2257字
• 语种: 中文

摘要

高可靠集成电路特别是抗辐射模拟集成电路是我国目前急需自主实现的芯片,西方国家在此类芯片上对我国持续禁运,加之出于信息安全方面的考虑,我国在芯片方面持续进行投入,实现了技术突破,取得了喜人的成绩.硅基的CMOS器件容易被宇宙射线辐射并产生辐射效应引起器件问题及退化,该设计基于硅基SOI BCD工艺,在器件的设计及工艺方面做了抗辐照加固设计,达到了抗辐照的性能需求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	窦祥峰		1	0	0.0	0.0