ITO靶材的直流磁控溅射镀膜工艺研究

• 作者: 吴晓飞 崔晓芳 郗雨林
• 来源期刊: 材料开发与应用
• 学科: 工学
• 关键词: ITO靶材 ITO薄膜 直流磁控溅射
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 材料应用
• 页码范围: 35-39
• 页数: 5页
• 分类号: TF124
• 语种: 中文

摘要

对ITO靶材的直流磁控溅射工艺进行研究,通过正交试验方法确定制备ITO薄膜的最优工艺参数,并明确了溅射温度、氧氩比、溅射气压和溅射功率密度对ITO薄膜电阻率和可见光透过率的影响规律.最优工艺参数为溅射温度370℃,氧氩比0.5/40,溅射气压0.4Pa,溅射功率密度0.17 W/cm2.薄膜电阻率受各因素影响的主次顺序是:氧氩比＞溅射温度＞溅射气压＞溅射功率密度.薄膜可见光透过率受各因素影响的主次顺序为:溅射温度＞溅射气压＞氧氩比＞溅射功率密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郗雨林	中国船舶重工集团公司第七二五研究所	18	88	5.0	9.0
2	吴晓飞	中国船舶重工集团公司第七二五研究所	6	15	1.0	3.0
3	崔晓芳	中国船舶重工集团公司第七二五研究所	4	1	1.0	1.0