有源层厚度对InSnZnO薄膜晶体管的影响

• 作者: 刘媛媛 刘超 吕英波 孙珲 李治玥 杨浩志
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射 ITZO薄膜 薄膜晶体管 厚度
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 61-66
• 页数: 6页
• 分类号: TN321+.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.13373/j.cnki.cjrm.XY18010038

摘要

在室温下,采用射频磁控溅射法制备了氧化铟锡锌(ITZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层,ITZO薄膜厚度分别为16,25,36,45和55 nm.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和紫外-可见光分光光度计测试分析了不同厚度ITZO薄膜的结晶情况、表面形貌及光学特性的变化规律,并使用半导体特征测试仪表征了ITZO TFT的输出特性及转移特性,研究了有源层厚度对ITZO TFT电学性能的影响.结果 表明:不同厚度的ITZO薄膜均为非晶结构,成膜致密,薄膜在可见光范围内的平均透过率均高于85％.在界面态密度(Nsmax)和载流子浓度的共同影响下,当有源层厚度为36 nm时,ITZO TFT电学性能最优.其场效应迁移率(μFE)为14.04 cm2·(V·s)-1,开关比(Ion/off)为1×106,亚阈值摆幅(S)仅有0.5 V·dec-1.此外,有源层厚度的增大可以削弱空气中水分和氧气对TFT的侵蚀,提高器件的稳定性.因此可以通过改变有源层厚度来调控TFT的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕英波	山东大学空间科学与物理学院	12	51	3.0	7.0
2	孙珲	山东大学空间科学与物理学院	15	2	1.0	1.0
3	刘媛媛	山东大学空间科学与物理学院	7	12	2.0	3.0
4	李治玥	山东大学空间科学与物理学院	4	4	1.0	1.0