结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响

• 作者: 刘燕丽 张荣 王伟 董燕 郑有炓 陈敦军
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: N极性面GaN/InAlN 高电子迁移率晶体管 结构参数 电学性能
• 年，卷（期）: 2019,（24）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 288-294
• 页数: 7页
• 字数: 4753字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.68.20191153

摘要

基于漂移-扩散传输模型、费米狄拉克统计模型以及Shockley-Read-Hall复合模型等,通过自洽求解薛定谔方程、泊松方程以及载流子连续性方程,模拟研究了材料结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响及其物理机制.结果表明,增加GaN沟道层的厚度(5-15 nm)与InAlN背势垒层的厚度(10-40 nm),均使得器件的饱和输出电流增大,阈值电压发生负向漂移.器件的跨导峰值随GaN沟道层厚度的增加与InAlN背势垒层厚度的减小而减小.模拟中,各种性能参数的变化趋势均随GaN沟道层与InAlN背势垒层厚度的增加而逐渐变缓,当GaN沟道层厚度超过15 nm、InAlN背势垒层厚度超过40 nm后,器件的饱和输出电流、阈值电压等参数基本趋于稳定.材料结构参数对器件性能影响的主要原因可归于器件内部极化效应、能带结构以及沟道中二维电子气的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑有炓	南京大学电子科学与工程学院	78	353	11.0	15.0
2	张荣	南京大学电子科学与工程学院	134	576	13.0	17.0
3	陈敦军	南京大学电子科学与工程学院	17	44	3.0	5.0
4	董燕	南京大学电子科学与工程学院	2	3	1.0	1.0
5	刘燕丽	山东工商学院信息与电子工程学院	1	0	0.0	0.0
6	王伟	山东工商学院信息与电子工程学院	1	0	0.0	0.0