磁控溅射沉积制备AI掺杂ZnO薄膜的棒状晶粒生长

• 作者: 张增光 李博研 赵笑昆
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: Al掺杂ZnO 射频磁控溅射 压强 晶粒生长
• 年，卷（期）: 2019,（z1）
• 所属期刊栏目: 无机非金属及其复合材料
• 页码范围: 112-115
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 字数: 3786字
• 语种: 中文

摘要

Al掺杂ZnO (AZO)薄膜由于电导率高、光学透过率高、原料储量丰富、成本低廉而成为最具潜力的透明导电薄膜.本实验采用射频磁控溅射法沉积制备了30 cm×30 cm的AZO薄膜,研究了溅射压强对晶体结构、微观结构、电学和光学性能的影响,实现微观结构和性能的调节.结果 表明,溅射压强增大,薄膜沉积速率降低,晶体c轴择优取向生长变弱,晶粒尺寸变大且存在长度大于100 nm的棒状晶粒.0.933 Pa时薄膜电阻率降至最低(1.01×10-3Q·cm),可见光透过率为79.7％,禁带宽度Eg=3.82 eV,有利于透明导电膜的应用.