磁控溅射氧分压对阻变单元阻变性能的影响研究

• 作者: 周歧刚
• 来源期刊: 中国高新区
• 关键词: 阻变存储器 TaO2薄膜 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2019,（14）
• 所属期刊栏目: 科技推广
• 页码范围: 29
• 页数: 1页
• 字数: 379字
• 语种: 中文

摘要

二元金属氧化物中形成导电丝的缺陷主要包括位错、晶粒间界、空位等,在外电场作用下氧空位可以很容易沿着缺陷迁移,被认为是影响阻变存储性能最关键的因素之一.而氧空位的密度可以通过溅射制备阻变功能薄膜的氧分压来控制.本文在不同氧分压下磁控溅射制备TaOx薄膜,研究了磁控溅射氧分压对阻变单元阻变性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周歧刚	乐山师范学院物理与电子工程学院	12	21	2.0	4.0